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專利名稱: 等平面場氧化隔離結(jié)構(gòu)及其形成方法
專利類別: 發(fā)明專利
申請?zhí)?/strong>: 201210521736.4
申請日期: 2012-12-06
專利號: 201210521736.4
第一發(fā)明人: 許高博;徐秋霞
其它發(fā)明人:
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權(quán)日期:
繳費(fèi)情況:
實(shí)施情況: 授權(quán)
專利證書號: 201210521736.4
專利摘要:
其它備注: 十室