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專利名稱: 一種提高碳基半導體器件遷移率的襯底處理方法
專利類別: 發(fā)明專利
申請?zhí)?/strong>: 201310414720.8
申請日期: 2013-09-12
專利號: 201310414720.8
第一發(fā)明人: 史敬元;金智;張大勇;麻芃;彭松昂
其它發(fā)明人:
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權(quán)日期:
繳費情況:
實施情況: 授權(quán)
專利證書號: 201310414720.8
專利摘要:
其它備注: 高頻高壓中心