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專利

專利名稱 發(fā)明人 申請(qǐng)?zhí)?/th> 申請(qǐng)日期
向溝道中引入應(yīng)變的方法和使用該方法制作的器件 殷華湘,徐秋霞,陳大鵬; PCT/CN2011/000694 2011-04-20
半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制造方法及其結(jié)構(gòu) 鐘匯才, 梁擎擎; PCT/CN2011/000306 2011-02-25
半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制造方法 鐘匯才, 梁擎擎; PCT/CN2011/000308 2011-02-25
一種半導(dǎo)體器件及其形成方法 趙超,王文武,朱慧瓏; PCT/CN2011/000279 2011-02-23
一種半導(dǎo)體器件及其形成方法 朱慧瓏,梁擎擎; PCT/CN2011/000337 2011-03-02
一種半導(dǎo)體器件及其形成方法 朱慧瓏,梁擎擎; PCT/CN2011/000336 2011-03-02
一種半導(dǎo)體器件及其形成方法 朱慧瓏,梁擎擎,駱志炯,尹海洲; PCT/CN2011/000338 2011-03-02
晶體管及其制造方法 尹海洲,朱慧瓏,駱志炯; PCT/CN2011/000263 2011-02-21
晶體管及其制造方法 尹海洲,駱志炯,朱慧瓏; PCT/CN2011/000280 2011-02-23
晶體管及其制造方法 尹海洲,朱慧瓏,駱志炯; PCT/CN2011/000262 2011-02-21
可調(diào)節(jié)溝道應(yīng)力的器件與方法 殷華湘,徐秋霞,陳大鵬; PCT/CN2011/000278 2011-02-23
采用后柵工藝制備CMOS器件中接觸孔的方法 閆江; PCT/CN2011/000261 2011-02-21
用于集成電路的襯底及其形成方法 鐘匯才, 梁擎擎, 尹海洲, 駱志炯; PCT/CN2011/000309 2011-02-25
晶體管及其制造方法 尹海洲,駱志炯,朱慧瓏; PCT/CN2011/000292 2011-02-24
一種互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備方法 徐秋霞,李永亮,許高博; PCT/CN2011/082585 2011-11-22