| 專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請?zhí)?/th> | 申請日期 |
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| PMOS器件疊層結(jié)構(gòu)的制備和柵功函數(shù)調(diào)節(jié)方法 | 徐秋霞，李永亮; | PCT/CN2011/082538 | 2011-11-21 |
| 金屬性納米管去除方法 | 朱慧瓏，駱志炯，尹海洲; | PCT/CN2011/082533 | 2011-11-21 |
| 半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 朱慧瓏，尹海洲，駱志炯; | PCT/CN2011/082413 | 2011-11-18 |
| 半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 朱慧瓏，尹海洲，駱志炯; | PCT/CN2011/082929 | 2011-11-25 |
| 半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 朱慧瓏，駱志炯，尹海洲; | PCT/CN2011/082930 | 2011-11-25 |
| 半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 朱慧瓏，尹海洲，駱志炯; | PCT/CN2011/082399 | 2011-11-18 |
| 受控橫向刻蝕方法 | 朱慧瓏，駱志炯，尹海洲; | PPCT/CN2011/082703 | 2011-11-23 |
| SRAM單元及其制造方法 | 朱慧瓏，梁擎擎; | PCT/CN2011/082519 | 2011-11-21 |
| SRAM單元及其制造方法 | 朱慧瓏，梁擎擎; | PCT/CN2011/082700 | 2011-11-23 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧瓏，許淼，梁擎擎; | PCT/CN2011/082424 | 2011-11-18 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧瓏，梁擎擎，尹海洲，駱志炯; | PCT/CN2011/082415 | 2011-11-18 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧瓏，梁擎擎，尹海洲，駱志炯; | PCT/CN2011/082417 | 2011-11-18 |
| 半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 朱慧瓏，梁擎擎，駱志炯，尹海洲; | PCT/CN2011/082396 | 2011-11-18 |
| 半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 朱慧瓏，梁擎擎，駱志炯，尹海洲; | PCT/CN2011/082404 | 2011-11-18 |
| 半導(dǎo)體器件 | 梁擎擎，許淼，朱慧瓏，鐘匯才; | PCT/CN2011/082425 | 2011-11-18 |
科研產(chǎn)出