| 專(zhuān)利名稱(chēng) | 發(fā)明人 | 申請(qǐng)?zhí)?/th> | 申請(qǐng)日期 |
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| 一種功率半導(dǎo)體器件結(jié)電容測(cè)試裝置 | 陸江,朱陽(yáng)軍,蘇江; | 201120221050.4 | 2011-06-27 |
| IGBT芯片及其制作方法 | 陳宏,胡少偉,盧爍今,吳振興,朱陽(yáng)軍; | 201110170508.2 | 2011-06-22 |
| 溝槽柵型絕緣柵雙極晶體管及其制作方法 | 趙佳,朱陽(yáng)軍,盧爍今,孫寶剛,左小珍; | 201110168499.3 | 2011-06-21 |
| 一種場(chǎng)環(huán)限結(jié)構(gòu) | 田曉麗,朱陽(yáng)軍,吳振興,張彥飛,盧爍今; | 201120209191.4 | 2011-06-20 |
| 快恢復(fù)二極管制造方法 | 吳振興,孫寶剛,朱陽(yáng)軍,趙佳,盧爍今; | 201110163951.7 | 2011-06-17 |
| 絕緣柵雙極晶體管及其制作方法 | 盧爍今,朱陽(yáng)軍,孫寶剛,趙佳; | 201110169311.7 | 2011-06-22 |
| 微穿通型IGBT器件及其制作方法 | 朱陽(yáng)軍,田曉麗,孫寶剛,盧爍今; | 201110175567.9 | 2011-06-27 |
| 結(jié)終端延伸結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 田曉麗,朱陽(yáng)軍,吳振興,盧爍今; | 201110166489.6 | 2011-06-20 |
| 絕緣柵雙極晶體管終端及其制作方法 | 朱陽(yáng)軍,田曉麗,盧爍今,吳振興; | 201110175527.4 | 2011-06-27 |
| 一種提高SOI-PMOS器件背柵閾值電壓的方法 | 梅博,畢津順,韓鄭生; | 201110209346.9 | 2011-07-25 |
| 一種調(diào)節(jié)SOI-NMOS器件背柵閾值電壓的方法 | 梅博,畢津順,韓鄭生; | 201110209296.4 | 2011-07-25 |
| 一種降低靜電保護(hù)器件觸發(fā)電壓的方法及裝置 | 姜一波,杜寰,曾傳濱,王立新; | 201110204619.0 | 2011-07-21 |
| 一種利用尖端放電進(jìn)行靜電保護(hù)的封裝結(jié)構(gòu) | 姜一波,杜寰; | 201110183267.5 | 2011-07-01 |
| 一種芯片內(nèi)利用尖端放電的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu) | 姜一波,杜寰,曾傳濱; | 201110183239.3 | 2011-07-01 |
| 一種集成電路缺陷的光學(xué)檢測(cè)方法和裝置 | 陳魯; | 201110283462.5 | 2011-09-22 |
科研產(chǎn)出