| 專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請(qǐng)?zhí)?/th> | 申請(qǐng)日期 |
|---|---|---|---|
| 一種半導(dǎo)體芯片 | 李寶霞,萬(wàn)里兮; | 201110174980.3 | 2011-06-27 |
| 表面等離子體增強(qiáng)對(duì)稱結(jié)構(gòu)及其制備方法 | 李海亮,史麗娜,牛潔斌,朱效立,李冬梅,謝常青,劉明; | 201110285568.9 | 2011-09-23 |
| 一種寬帶可編程增益放大器 | 劉欣,張海英; | 201110219918.1 | 2011-08-02 |
| 一種2dB步長(zhǎng)的寬帶可編程增益放大器 | 劉欣,張海英; | 201110220592.4 | 2011-08-02 |
| 一種應(yīng)用于通信系統(tǒng)發(fā)射端的可編程增益放大器 | 劉欣,張海英; | 201110315016.8 | 2011-10-17 |
| 可編程增益放大電路和可編程增益放大器 | 劉欣,張海英; | 201110314996.X | 2011-10-17 |
| 一種測(cè)量GaN基器件熱可靠性的方法 | 趙妙,劉新宇,羅衛(wèi)軍,鄭英奎,陳曉娟,彭銘曾,李艷奎; | 201110236600.4 | 2011-08-17 |
| 對(duì)GaN基器件的直流穩(wěn)態(tài)功率老化進(jìn)行預(yù)篩選的方法 | 趙妙,彭銘曾,鄭英奎,劉新宇,魏珂,歐陽(yáng)思華; | 201110236597.6 | 2011-08-17 |
| 一種阻變存儲(chǔ)器及其制備方法 | 劉明,李穎弢,龍世兵,呂杭炳,劉琦,王明,張康瑋; | 201110230884.6 | 2011-08-12 |
| 憶阻器器件及其制備方法 | 劉明,李穎弢,龍世兵,呂杭炳,劉琦; | 201110230881.2 | 2011-08-12 |
| 一種基于柔性襯底的憶阻器器件及其制作方法 | 劉明,李穎弢,龍世兵,劉琦,呂杭炳; | 201110230879.5 | 2011-08-12 |
| 一種納米線憶阻器及其制作方法 | 劉明,李穎弢,龍世兵,劉琦,呂杭炳; | 201110230870.4 | 2011-08-12 |
| 阻變存儲(chǔ)器及降低其形成電壓的方法 | 劉明,李穎弢,龍世兵,劉琦,呂杭炳,王明,張康瑋; | 201110230867.2 | 2011-08-12 |
| 金屬氧化物電阻存儲(chǔ)器及其制備方法 | 呂杭炳,劉明,龍世兵,劉琦,牛潔斌; | PCT/CN2011/076657 | 2011-06-30 |
| 一種TiO2光催化消解裝置的制備方法 | 劉煥明; | 201110163803.5 | 2011-06-17 |
科研產(chǎn)出