| 專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請(qǐng)?zhí)?/th> | 申請(qǐng)日期 |
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| 一種電荷俘獲非揮發(fā)存儲(chǔ)器及其制造方法 | 劉明,王晨杰,霍宗亮,張滿紅,謝常青,王琴,劉璟; | 201110137484.0 | 2011-05-25 |
| 一種電荷俘獲非揮發(fā)存儲(chǔ)器的制造方法 | 劉明,王晨杰,霍宗亮,張滿紅,謝常青,王琴,劉璟; | 201110138464.5 | 2011-05-25 |
| 一種基于絕緣體上硅的射頻LDMOS晶體管結(jié)構(gòu) | 劉夢(mèng)新,畢津順,劉剛,羅家俊,韓鄭生; | 201110007880.1 | 2011-01-14 |
| 一種SixNy基電阻型存儲(chǔ)器及其制備方法和應(yīng)用 | 劉琦,劉明,龍世兵,呂杭炳,謝常青; | 201110005463.3 | 2011-01-12 |
| 埋置有源元件的樹脂基板及其制備方法 | 張霞,萬(wàn)里兮,陳峰,郭學(xué)平; | 201110135530.3 | 2011-05-24 |
| 導(dǎo)航系統(tǒng)及其方法 | 楊穎,陳杰; | 201110106671.2 | 2011-04-27 |
| 一種用于單芯片封裝和系統(tǒng)級(jí)封裝的散熱結(jié)構(gòu) | 李君,郭學(xué)平,張靜; | 201110055382.4 | 2011-03-08 |
| 一種T型柵HEMT器件及其制作方法 | 魏珂,劉新宇,黃俊,劉果果; | 201110340553.8 | 2011-11-01 |
| 降低HEMT器件柵槽刻蝕損傷的方法 | 黃俊,魏珂,劉果果,樊捷,劉新宇; | 201110340567.X | 2011-11-01 |
| 一種T型柵HEMT器件及其制作方法 | 魏珂,劉果果,劉新宇,黃俊; | 201110340571.6 | 2011-11-01 |
| HEMT器件及其制造方法 | 劉果果,魏珂,黃俊,劉新宇; | 201110364028.X | 2011-11-16 |
| SiC襯底的減薄方法 | 魏珂,黃俊,劉果果,李誠(chéng)瞻,劉新宇; | 201110146097.3 | 2011-06-01 |
| 一種將碳納米管束填充到硅轉(zhuǎn)接板的硅穿孔中的方法 | 曹立強(qiáng),戴風(fēng)偉,王啟東,萬(wàn)里兮; | 201110061489.X | 2011-03-15 |
| 一種電化學(xué)淀積結(jié)果確定方法 | 王強(qiáng),陳嵐,李志剛; | 201110391416.7 | 2011-11-30 |
| 一種針對(duì)CVD法制備的石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移方法 | 郭建楠,麻芃,金智,王顯泰; | 201110130036.8 | 2011-05-19 |
科研產(chǎn)出