專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請?zhí)?/th> | 申請日期 |
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半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 梁擎擎;駱志炯;尹海洲; | PCT/CN2010/001482 | 2010-09-25 |
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法 | 王鶴飛;駱志炯;劉佳; | 201010527273.3 | 2010-10-29 |
半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 朱慧瓏;尹海洲;駱志炯;梁擎擎; | 201010299028.1 | 2010-09-29 |
化學(xué)機械平坦化方法和后金屬柵的制作方法 | 楊濤;劉金彪;賀曉彬;趙超;陳大鵬; | 201010567260.9 | 2010-11-30 |
應(yīng)力隔離溝槽半導(dǎo)體器件及其形成方法 | 尹海洲;駱志炯;朱慧瓏; | 201010527238.1 | 2010-10-29 |
晶體管及其制造方法 | 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯; | 201010532062.9 | 2010-10-19 |
后柵工藝中金屬柵的制作方法 | 項金娟;王文武; | 201010500383.0 | 2010-09-29 |
層間介質(zhì)層、具有該介質(zhì)層的半導(dǎo)體器件及制造方法 | 鐘匯才;梁擎擎; | 201010215116.9 | 2010-06-22 |
集成無線能量發(fā)射和接收裝置的傳感器系統(tǒng) | ; | 201010250707.X | 2010-08-11 |
半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制造方法及其結(jié)構(gòu) | 鐘匯才;梁擎擎; | 201010258369.4 | 2010-08-19 |
一種FinFET器件及其制造方法 | 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯; | 201010150059.0 | 2010-04-15 |
一種改善硅襯底的方法及得到的硅襯底 | 駱志炯;尹海洲;朱慧瓏; | 201010502043.1 | 2010-09-30 |
接觸電極制造方法和半導(dǎo)體器件 | 朱慧瓏;尹海洲;駱志炯; | 201010531985.2 | 2010-10-29 |
半導(dǎo)體器件及其形成方法 | 趙超;鐘匯才;王文武; | 201010512128.8 | 2010-10-13 |
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 朱慧瓏;鐘匯才;尹海洲;駱志炯; | 201010501727.X | 2010-09-30 |
科研產(chǎn)出