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專利

專利名稱 發(fā)明人 申請?zhí)?/th> 申請日期
半導(dǎo)體器件及其制造方法 梁擎擎;駱志炯;尹海洲; PCT/CN2010/001482 2010-09-25
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法 王鶴飛;駱志炯;劉佳; 201010527273.3 2010-10-29
半導(dǎo)體器件及其制造方法 朱慧瓏;尹海洲;駱志炯;梁擎擎; 201010299028.1 2010-09-29
化學(xué)機械平坦化方法和后金屬柵的制作方法 楊濤;劉金彪;賀曉彬;趙超;陳大鵬; 201010567260.9 2010-11-30
應(yīng)力隔離溝槽半導(dǎo)體器件及其形成方法 尹海洲;駱志炯;朱慧瓏; 201010527238.1 2010-10-29
晶體管及其制造方法 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯; 201010532062.9 2010-10-19
后柵工藝中金屬柵的制作方法 項金娟;王文武; 201010500383.0 2010-09-29
層間介質(zhì)層、具有該介質(zhì)層的半導(dǎo)體器件及制造方法 鐘匯才;梁擎擎; 201010215116.9 2010-06-22
集成無線能量發(fā)射和接收裝置的傳感器系統(tǒng) ; 201010250707.X 2010-08-11
半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制造方法及其結(jié)構(gòu) 鐘匯才;梁擎擎; 201010258369.4 2010-08-19
一種FinFET器件及其制造方法 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯; 201010150059.0 2010-04-15
一種改善硅襯底的方法及得到的硅襯底 駱志炯;尹海洲;朱慧瓏; 201010502043.1 2010-09-30
接觸電極制造方法和半導(dǎo)體器件 朱慧瓏;尹海洲;駱志炯; 201010531985.2 2010-10-29
半導(dǎo)體器件及其形成方法 趙超;鐘匯才;王文武; 201010512128.8 2010-10-13
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法 朱慧瓏;鐘匯才;尹海洲;駱志炯; 201010501727.X 2010-09-30