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專利

專利名稱 發(fā)明人 申請?zhí)?/th> 申請日期
半導(dǎo)體器件 ; 馬小龍;殷華湘;許淼;朱慧瓏 PCT/CN2012/001379 2012-10-22
半導(dǎo)體器件及其制造方法 ; 馬小龍;殷華湘;付作振 PCT/CN2012/001377 2012-10-22
半導(dǎo)體器件及其制造方法 ; 馬小龍;殷華湘;付作振 PCT/CN2012/001376 2012-10-22
半導(dǎo)體器件及其制造方法 殷華湘; 殷華湘;閆江;陳大鵬 PCT/CN2012/001153 2012-08-27
半導(dǎo)體器件及其制造方法 ; 殷華湘;秦長亮;徐秋霞;陳大鵬 PCT/CN2012/001152 2012-08-27
半導(dǎo)體器件制造方法 ; 孟令款 PCT/CN2012/081009 2012-09-05
半導(dǎo)體器件制造方法 ; 孟令款 PCT/CN2012/081008 2012-09-05
半導(dǎo)體器件及其制造方法 ; 秦長亮;殷華湘 PCT/CN2012/079352 2012-07-30
PVD制備TiN的方法 ; 付作振;殷華湘;閆江 PCT/CN2012/079176 2012-07-26
一種應(yīng)用于CMP工藝的護圈裝置 劉宏偉; 劉宏偉;陳嵐 201320865754.4 2013-12-25
半導(dǎo)體器件制造方法 秦長亮; 秦長亮;殷華湘 PCT/CN2012/000803 2012-06-12
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法 尹海洲; 尹海洲;蔣葳 PCT/CN2012/000680 2012-05-17
半導(dǎo)體器件構(gòu)及其制造方法 尹海洲; 尹海洲;駱志炯;朱慧瓏;楊達 PCT/CN2012/000670 2012-05-16
使源/漏區(qū)更接近溝道區(qū)的MOS器件及其制作方法 秦長亮; 秦長亮;殷華湘 PCT/CN2012/000476 2012-04-10
半導(dǎo)體器件及其制造方法 尹海洲; 尹海洲;蔣葳 PCT/CN2012/000465 2012-04-09