| 專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請(qǐng)?zhí)?/th> | 申請(qǐng)日期 |
|---|---|---|---|
| 基于使能信號(hào)線反饋實(shí)現(xiàn)檢錯(cuò)重發(fā)的系統(tǒng)及方法 | 孟真，閻躍鵬，于進(jìn)勇; | PCT/CN2011/085141 | 2011-12-31 |
| 分布式測(cè)試系統(tǒng)的中心機(jī)與測(cè)試終端之間進(jìn)行通訊的方法 | 孟真，閻躍鵬，于進(jìn)勇; | PCT/CN2011/085142 | 2011-12-31 |
| 基于N1dB壓縮點(diǎn)和N2dB壓縮點(diǎn)的三階交調(diào)測(cè)試方法 | 趙志儒，閻躍鵬，于進(jìn)勇，張曉飛; | PCT/CN2011/083453 | 2011-12-05 |
| 一種制作用于極紫外光刻的鉻側(cè)墻衰減型移相掩模的方法 | 李海亮，謝常青，劉明，史麗娜，朱效立，李冬梅; | PCT/CN2011/083744 | 2011-12-09 |
| MOS-HEMT器件及其制作方法 | 劉洪剛，盧力，?；|，孫兵; | 201110221372.3 | 2011-08-03 |
| 一種制作U型柵腳T型柵結(jié)構(gòu)的方法 | 孔欣，魏珂，劉新宇，黃俊，劉果果; | 201110133545.6 | 2011-05-23 |
| 用STI的拐角應(yīng)力增強(qiáng)MOSFET性能 | 朱慧瓏，駱志炯，尹海洲; | 201110417139.2 | 2011-12-14 |
| 微波勻膠設(shè)備及其方法 | 王燕鵲，王磊; | 201110448765.8 | 2011-12-28 |
| 張應(yīng)力 LPCVD SiO2膜的制造方法 | 尚海平，焦斌斌，劉瑞文，陳大鵬，李志剛，盧迪克; | 201110448748.4 | 2011-12-28 |
| 低溫高覆蓋性側(cè)墻制造方法 | 王桂磊; | 201110433694.4 | 2011-12-21 |
| 后柵工藝中假柵的制造方法 | 楊濤，趙超，李俊峰，趙玉印，盧一泓; | 201110433706.3 | 2011-12-21 |
| 半導(dǎo)體器件制造方法 | 羅軍，趙超，鐘匯才，李俊峰，陳大鵬; | 201110425474.7 | 2011-12-16 |
| 半導(dǎo)體器件制造方法 | 羅軍，趙超，鐘匯才，李俊峰，陳大鵬; | 201110419334.9 | 2011-12-15 |
| MOSFET制造方法 | 付作振，殷華湘; | 201110419341.9 | 2011-12-15 |
| 一種混合線條的制造方法 | 唐波，閆江; | 201110459836.4 | 2011-12-31 |
科研產(chǎn)出