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專利

專利名稱 發(fā)明人 申請(qǐng)?zhí)?/th> 申請(qǐng)日期
半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法、及半導(dǎo)體鰭制作方法 鐘匯才，梁擎擎，羅軍，趙超; PCT/CN2011/082420 2011-11-18
石墨烯納米帶的制造方法、MOSFET及其制造方法 朱慧瓏，梁擎擎，駱志炯，尹海洲; PCT/CN2011/082418 2011-11-18
半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備方法 周華杰，徐秋霞; PCT/CN2011/082421 2011-11-18
xMOSFET及其制造方法 朱慧瓏，許淼，梁擎擎; PCT/CN2011/077856 2011-08-01
MOSFET及其制造方法 朱慧瓏，許淼，梁擎擎; PCT/CN2011/077917 2011-08-02
半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法 鐘匯才，羅軍，梁擎擎，朱慧瓏; PCT/CN2011/079040 2011-08-29
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法 朱慧瓏，梁擎擎，駱志炯，尹海洲; PCT/CN2011/077908 2011-08-02
半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法 鐘匯才，梁擎擎，尹海洲; PCT/CN2011/078221 2011-08-10
半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置 梁擎擎，童小東，鐘匯才，朱慧瓏; PCT/CN2011/078209 2011-08-10
器件電學(xué)特性相關(guān)性分析方法及器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法 梁擎擎，朱慧瓏，鐘匯才; PCT/CN2011/078204 2011-08-10
MOSFET及其制造方法 朱慧瓏，梁擎擎，駱志炯，尹海洲; PCT/CN2011/077858 2011-08-01
MOSFET及其制造方法 朱慧瓏，梁擎擎，尹海洲，駱志炯; PCT/CN2011/077864 2011-08-01
一種半導(dǎo)體器件的替代柵集成方法 許高博，徐秋霞; PCT/CN2011/077905 2011-08-02
一種半導(dǎo)體器件的制備方法 周華杰，徐秋霞; PCT/CN2011/072527 2011-04-08
柵極結(jié)構(gòu)及其制造方法 鐘匯才，駱志炯，梁擎擎; PCT/CN2011/073308 2011-04-26