| 專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請?zhí)?/th> | 申請日期 |
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| 半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法 | 鐘匯才，羅軍，梁擎擎，朱慧瓏; | 201110240932.X | 2011-08-22 |
| 半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法、及半導(dǎo)體鰭制作方法 | 鐘匯才，梁擎擎，羅軍，趙超; | 201110240931.5 | 2011-08-22 |
| 半導(dǎo)體器件 | 梁擎擎，許淼，朱慧瓏，鐘匯才; | 201110241218.2 | 2011-08-22 |
| 一種互補型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的制備方法 | 徐秋霞，李永亮，許高博; | 201110221375.7 | 2011-08-03 |
| 半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法 | 鐘匯才，梁擎擎，尹海洲; | 201110198180.5 | 2011-07-15 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧瓏，梁擎擎，駱志炯，尹海洲; | 201110189100.X | 2011-07-07 |
| 一種半導(dǎo)體器件的替代柵集成方法 | 許高博，徐秋霞; | 201110181587.7 | 2011-06-30 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧瓏，梁擎擎，尹海洲，駱志炯; | 201110178387.6 | 2011-06-29 |
| 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 朱慧瓏，梁擎擎，駱志炯，尹海洲; | 201110173892.1 | 2011-06-24 |
| 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的制備方法 | 周華杰，徐秋霞; | 201110172967.4 | 2011-06-24 |
| 一種半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的制備方法 | 周華杰，徐秋霞; | 201110174333.2 | 2011-06-24 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧瓏，許淼，梁擎擎; | 201110170875.2 | 2011-06-23 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧瓏，許淼，梁擎擎; | 201110170497.8 | 2011-06-23 |
| 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法 | 駱志炯，尹海洲，朱慧瓏; | 201110126832.4 | 2011-05-17 |
| 一種半導(dǎo)體器件的制造方法 | 許高博，徐秋霞; | 201110121071.3 | 2011-05-11 |
科研產(chǎn)出