| 專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請?zhí)?/th> | 申請日期 |
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| 半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體存儲裝置 | 梁擎擎，童小東，鐘匯才，朱慧瓏; | 201110114256.1 | 2011-05-04 |
| 一種隧穿場效應(yīng)晶體管及其制造方法 | 許高博，徐秋霞; | 201110100732.4 | 2011-04-21 |
| 鍺襯底上制備金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管方法 | 胡愛斌，許高博，徐秋霞; | 201110090483.5 | 2011-04-12 |
| 柵極結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 鐘匯才，駱志炯，梁擎擎; | 201110052271.8 | 2011-03-04 |
| 犧牲柵去除方法及柵堆疊制作方法 | 楊濤，殷華湘，徐秋霞，趙超，陳大鵬; | 201110051453.3 | 2011-03-03 |
| 一種半導(dǎo)體器件的制備方法 | 周華杰，徐秋霞; | 201110046790.3 | 2011-02-25 |
| 一種鰭型場效應(yīng)晶體管的制備方法 | 周華杰，徐秋霞，宋毅; | 201110046786.7 | 2011-02-25 |
| 一種Ω形鰭片的制備方法 | 周華杰，徐秋霞，宋毅; | 201110046371.X | 2011-02-25 |
| PMOS器件疊層結(jié)構(gòu)的制備和柵功函數(shù)調(diào)節(jié)方法 | 徐秋霞，李永亮; | 201110046360.1 | 2011-02-25 |
| 具有應(yīng)力結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)晶體管器件 | 朱慧瓏，駱志炯，尹海洲; | 201120034184.5 | 2011-01-31 |
| 器件電學(xué)特性相關(guān)性分析方法及器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法 | 梁擎擎，朱慧瓏，鐘匯才; | 201110023167.6 | 2011-01-20 |
| 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 朱慧瓏，吳彬能，肖衛(wèi)平，吳昊，梁擎擎; | 201110008002.1 | 2011-01-14 |
| 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法 | 駱志炯，尹海洲，朱慧瓏; | 201110006103.5 | 2011-01-12 |
| 半導(dǎo)體器件及其制作方法 | 駱志炯，朱慧瓏，尹海洲; | 201110005924.7 | 2011-01-12 |
| 器件性能預(yù)測方法及器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法 | 梁擎擎，朱慧瓏，鐘匯才，李萌; | 201110005923.2 | 2011-01-12 |
科研產(chǎn)出