| 專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請?zhí)?/th> | 申請日期 |
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| 一種制備功率器件抗輻照柵結(jié)構(gòu)的方法 | 王立新; | 200710083710.5 | 2007-12-19 |
| 射頻電源（RFG-500） | 李勇滔,趙章琰,秦威,李英杰,夏洋; | 201130183823.X | 2011-06-21 |
| IGBT版圖 | 趙佳,盧爍今,朱陽軍,左小珍; | 201120220830.7 | 2011-06-27 |
| 絕緣柵雙極晶體管 | 趙佳,朱陽軍,孫寶剛,盧爍今,左小珍; | 201120214540.1 | 2011-06-23 |
| 一種功率半導(dǎo)體器件結(jié)電容測試裝置 | 陸江,朱陽軍,蘇江; | 201120221050.4 | 2011-06-27 |
| 一種場環(huán)限結(jié)構(gòu) | 田曉麗,朱陽軍,吳振興,張彥飛,盧爍今; | 201120209191.4 | 2011-06-20 |
| 一種測試系統(tǒng)的控制組合裝置 | 伍俊,于進勇; | 201120050095.X | 2011-02-28 |
| 一種制備體硅圍柵金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的方法 | 宋毅,周華杰,徐秋霞; | PCT/CN2010/074699 | 2010-06-29 |
| 全自對準(zhǔn)條型柵功率垂直雙擴散場效應(yīng)晶體管的制作方法 | 王立新; | 200710122480.9 | 2007-09-26 |
| 具有H型柵的射頻SOI LDMOS器件 | 劉夢新, 畢津順, 范雪梅, 趙超榮, 韓鄭生, 劉剛; | 200810057936.2 | 2008-02-21 |
| 一種絕緣體上硅電路ESD全局保護結(jié)構(gòu) | 曾傳濱, 海潮和, 李晶, 李多力, 韓鄭生; | 200810104230.7 | 2008-04-16 |
| 具有緊密體接觸的射頻SOI LDMOS器件 | 劉夢新, 畢津順, 范雪梅, 趙超榮, 韓鄭生, 劉剛; | 200810057921.6 | 2008-02-21 |
| 雙采樣乘法數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換電路及其應(yīng)用 | 鄭曉燕, 周玉梅; | 200710065178.4 | 2007-04-05 |
| 遵循IEEE1149.1協(xié)議的通用測試IP方法 | 吳斌, 周玉梅, 黑勇; | 200610012047.5 | 2006-05-31 |
| 帶隙基準(zhǔn)電壓參考電路 | 王晗, 葉青; | 200710303891.8 | 2007-12-26 |
科研產(chǎn)出