| 專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請?zhí)?/th> | 申請日期 |
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| 基于使能信號線反饋實現(xiàn)檢錯重發(fā)的系統(tǒng)及方法 | 孟真;閻躍鵬;于進勇; | 201110460661.9 | 2011-12-31 |
| IGBT芯片及其制作方法 | 陳宏;胡少偉;盧爍今;吳振興;朱陽軍; | 201110170508.2 | 2011-06-22 |
| 可編程增益放大電路和可編程增益放大器 | 劉欣;張海英; | 201110314996.X | 2011-10-17 |
| Turbo碼的初始態(tài)估計及子幀譯碼方法、裝置 | 管武;梁利平;李婧; | 201110173653.6 | 2011-06-24 |
| 填充冗余金屬的方法及冗余金屬填充模式查找表建立方法 | 馬天宇;陳嵐;葉甜春; | 201110364853.X | 2011-11-17 |
| 半導(dǎo)體存儲單元、器件及其制備方法 | 霍宗亮;劉明;謝常青; | PCT/CN2011/076683 | 2011-06-30 |
| 一種半導(dǎo)體存儲器件 | 劉明;許中廣;霍宗亮;龍世兵;謝常青;張滿紅;李冬梅; | 201110137561.2 | 2011-05-25 |
| MOS晶體管及其制作方法 | 羅軍;趙超;鐘匯才; | 201010612589.2 | 2010-12-29 |
| 分裂柵存儲器及其制造方法 | 劉明;姜丹丹;霍宗亮;張滿紅;王琴;劉璟;謝常青; | 201110147095.6 | 2011-06-01 |
| 具有改善的載流子遷移率的場效應(yīng)晶體管器件及其制造方法 | 朱慧瓏;駱志炯;尹海洲; | PCT/CN2010/074234 | 2010-06-22 |
| 高K柵介質(zhì)/金屬柵疊層?xùn)沤Y(jié)構(gòu)刻蝕后聚合物去除方法 | 徐秋霞;李永亮; | 201010541134.6 | 2010-11-10 |
| 半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 鐘匯才;梁擎擎; | 201010230771.1 | 2010-07-13 |
| 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 朱慧瓏;梁擎擎;尹海洲;駱志炯; | 201010527488.5 | 2010-10-27 |
| HEMT器件及其制造方法 | 劉果果;魏珂;黃俊;劉新宇; | 201110364028.X | 2011-11-16 |
| 2T納米晶存儲器陣列及其操作方法 | 劉明;王琴;張滿紅;霍宗亮;謝常青;楊瀟楠; | 201210048730.X | 2012-02-28 |
科研產(chǎn)出