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專利

專利名稱 發(fā)明人 申請(qǐng)?zhí)?/th> 申請(qǐng)日期
一種基于差分技術(shù)的消除成像器件閾值偏差影響的方法 冀永輝;余兆安;王琴;龍世兵;謝常青;劉明; 201110024872.8 2011-01-24
非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其存儲(chǔ)操作方法 劉明;連文泰;龍世兵;呂杭炳;劉琦;李穎弢;張森;王艷; 201110104744.4 2011-04-26
一種納米結(jié)構(gòu)及其制備方法 毛海央;唐力程; 201510338283.5 2015-06-17
一種SERS基底及其制備方法 毛海央;唐力程; 201510338662.4 2015-06-17
納米柱/針森林結(jié)構(gòu)的圖形化加工方法 毛海央;王巖;唐力程;雷程;歐文; 201410609901.0 2014-11-03
PM2.5檢測(cè)裝置及其制造方法 毛海央;諶灼杰;歐文;吳文剛; 201310400323.5 2013-09-05
制熱型MEMS熱電堆紅外探測(cè)器結(jié)構(gòu)及其制備方法 毛海央;歐文; 201310183551.1 2013-05-16
高性能MEMS熱電堆紅外探測(cè)器結(jié)構(gòu)及其制備方法 毛海央;歐文;吳文剛;歐毅; 201310067012.1 2013-03-01
微納尺度材料賽貝克系數(shù)測(cè)量機(jī)構(gòu)的制備方法 毛海央;歐文;歐毅;陳大鵬; 201310002846.4 2013-01-05
IGBT集電極結(jié)構(gòu) 陳宏;朱陽(yáng)軍;盧爍今;徐承福; 201210494615.5 2012-11-28
功率半導(dǎo)體器件的背面集電極結(jié)構(gòu) 陳宏;朱陽(yáng)軍;邱穎斌;徐承福;吳凱; 201310013013.8 2013-01-14
IGBT背面結(jié)構(gòu)及制備方法 吳凱;朱陽(yáng)軍;盧爍今;陳宏; 201310064612.2 2013-02-28
逆導(dǎo)IGBT器件及制造方法 徐承福;朱陽(yáng)軍;胡愛(ài)斌; 201210476017.5 2012-11-21
鈍化半導(dǎo)體接觸表面的功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及制備方法 徐承福;朱陽(yáng)軍;胡愛(ài)斌;談景飛;盧爍今;陳宏;吳凱; 201210449247.2 2012-11-09
采用金屬硅化物的功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及制備方法 徐承福;朱陽(yáng)軍;王波;盧爍今;吳凱;陳宏; 201210421076.2 2012-10-29