專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請(qǐng)?zhí)?/th> | 申請(qǐng)日期 |
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一種基于差分技術(shù)的消除成像器件閾值偏差影響的方法 | 冀永輝;余兆安;王琴;龍世兵;謝常青;劉明; | 201110024872.8 | 2011-01-24 |
非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其存儲(chǔ)操作方法 | 劉明;連文泰;龍世兵;呂杭炳;劉琦;李穎弢;張森;王艷; | 201110104744.4 | 2011-04-26 |
一種納米結(jié)構(gòu)及其制備方法 | 毛海央;唐力程; | 201510338283.5 | 2015-06-17 |
一種SERS基底及其制備方法 | 毛海央;唐力程; | 201510338662.4 | 2015-06-17 |
納米柱/針森林結(jié)構(gòu)的圖形化加工方法 | 毛海央;王巖;唐力程;雷程;歐文; | 201410609901.0 | 2014-11-03 |
PM2.5檢測(cè)裝置及其制造方法 | 毛海央;諶灼杰;歐文;吳文剛; | 201310400323.5 | 2013-09-05 |
制熱型MEMS熱電堆紅外探測(cè)器結(jié)構(gòu)及其制備方法 | 毛海央;歐文; | 201310183551.1 | 2013-05-16 |
高性能MEMS熱電堆紅外探測(cè)器結(jié)構(gòu)及其制備方法 | 毛海央;歐文;吳文剛;歐毅; | 201310067012.1 | 2013-03-01 |
微納尺度材料賽貝克系數(shù)測(cè)量機(jī)構(gòu)的制備方法 | 毛海央;歐文;歐毅;陳大鵬; | 201310002846.4 | 2013-01-05 |
IGBT集電極結(jié)構(gòu) | 陳宏;朱陽(yáng)軍;盧爍今;徐承福; | 201210494615.5 | 2012-11-28 |
功率半導(dǎo)體器件的背面集電極結(jié)構(gòu) | 陳宏;朱陽(yáng)軍;邱穎斌;徐承福;吳凱; | 201310013013.8 | 2013-01-14 |
IGBT背面結(jié)構(gòu)及制備方法 | 吳凱;朱陽(yáng)軍;盧爍今;陳宏; | 201310064612.2 | 2013-02-28 |
逆導(dǎo)IGBT器件及制造方法 | 徐承福;朱陽(yáng)軍;胡愛(ài)斌; | 201210476017.5 | 2012-11-21 |
鈍化半導(dǎo)體接觸表面的功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及制備方法 | 徐承福;朱陽(yáng)軍;胡愛(ài)斌;談景飛;盧爍今;陳宏;吳凱; | 201210449247.2 | 2012-11-09 |
采用金屬硅化物的功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及制備方法 | 徐承福;朱陽(yáng)軍;王波;盧爍今;吳凱;陳宏; | 201210421076.2 | 2012-10-29 |
科研產(chǎn)出