| 專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請?zhí)?/th> | 申請日期 |
|---|---|---|---|
| 用于集成電路的襯底及其形成方法 | 鐘匯才;梁擎擎;尹海洲;駱志炯; | PCT/CN2011/000309 | 2011-02-25 |
| 晶體管及其制造方法 | 尹海洲;駱志炯;朱慧瓏; | PCT/CN2011/000292 | 2011-02-24 |
| SRAM單元及其制造方法 | 朱慧瓏;梁擎擎; | PCT/CN2011/082519 | 2011-11-21 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧瓏;梁擎擎;尹海洲;駱志炯; | PCT/CN2011/082415 | 2011-11-18 |
| 半導體器件及其制造方法 | 朱慧瓏;梁擎擎;駱志炯;尹海洲; | PCT/CN2011/082396 | 2011-11-18 |
| 半導體器件 | 梁擎擎;許淼;朱慧瓏;鐘匯才; | PCT/CN2011/082425 | 2011-11-18 |
| 半導體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法、及半導體鰭制作方法 | 鐘匯才;梁擎擎;羅軍;趙超; | PCT/CN2011/082420 | 2011-11-18 |
| 石墨烯納米帶的制造方法、MOSFET及其制造方法 | 朱慧瓏;梁擎擎;駱志炯;尹海洲; | PCT/CN2011/082418 | 2011-11-18 |
| 半導體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法 | 鐘匯才;梁擎擎;尹海洲; | PCT/CN2011/078221 | 2011-08-10 |
| 半導體器件及半導體存儲裝置 | 梁擎擎;童小東;鐘匯才;朱慧瓏; | PCT/CN2011/078209 | 2011-08-10 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧瓏;梁擎擎;駱志炯;尹海洲; | PCT/CN2011/077858 | 2011-08-01 |
| 柵極結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 鐘匯才;駱志炯;梁擎擎; | PCT/CN2011/073308 | 2011-04-26 |
| 一種半導體結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 朱慧瓏;鐘匯才;尹海洲;駱志炯; | PCT/CN2011/073919 | 2011-05-11 |
| 一種隔離區(qū)、半導體器件及其形成方法 | 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯; | PCT/CN2011/071093 | 2011-02-18 |
| 一種半導體器件及其形成方法 | 尹海洲;駱志炯;朱慧瓏; | PCT/CN2011/071020 | 2011-02-16 |
科研產(chǎn)出