專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請?zhí)?/th> | 申請日期 |
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一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯; | 201110183555.0 | 2011-06-30 |
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯; | 201110175568.3 | 2011-06-27 |
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 朱慧瓏;尹海洲;駱志炯; | 201110174874.5 | 2011-06-27 |
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 朱慧瓏;尹海洲;駱志炯; | 201110174687.7 | 2011-06-27 |
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯; | 201110166632.1 | 2011-06-20 |
一種高k柵介質(zhì)界面優(yōu)化方法 | 許高博;徐秋霞; | 201110149701.8 | 2011-06-03 |
一種存儲器及其制造方法 | 許高博;徐秋霞; | 201110143077.0 | 2011-05-30 |
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 尹海洲;蔣葳;駱志炯;朱慧瓏; | 201110053301.7 | 2011-03-04 |
一種半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 朱慧瓏;尹海洲;駱志炯; | 201110045404.9 | 2011-02-24 |
一種半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 尹海洲;駱志炯;朱慧瓏; | 201110066371.6 | 2011-03-18 |
金屬性納米管去除方法 | 朱慧瓏;駱志炯;尹海洲; | 201110354410.2 | 2011-11-10 |
MOSFET及其制造方法 | 朱慧瓏;梁擎擎;尹海洲;駱志炯; | 201110308554.4 | 2011-10-12 |
MOSFET及其制造方法 | 朱慧瓏;梁擎擎;殷華湘;駱志炯; | 201110308827.5 | 2011-10-12 |
SRAM單元及其制作方法 | 朱慧瓏;梁擎擎; | 201110281517.9 | 2011-09-21 |
MOSFET及其制造方法 | 朱慧瓏;許淼;梁擎擎; | 201110274852.6 | 2011-09-16 |
科研產(chǎn)出