| 專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請?zhí)?/th> | 申請日期 |
|---|---|---|---|
| 石墨烯納米帶的制造方法、MOSFET及其制造方法 | 朱慧瓏;梁擎擎;駱志炯;尹海洲; | 201110274354.1 | 2011-09-16 |
| 半導體器件及其制造方法 | 朱慧瓏;駱志炯;尹海洲; | 201110265211.4 | 2011-09-08 |
| 半導體器件及其制造方法 | 朱慧瓏;尹海洲;駱志炯; | 201110254187.4 | 2011-08-31 |
| 半導體器件及其制造方法 | 朱慧瓏;梁擎擎;駱志炯;尹海洲; | 201110254440.6 | 2011-08-31 |
| 半導體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法 | 鐘匯才;羅軍;梁擎擎;朱慧瓏; | 201110240932.X | 2011-08-22 |
| 半導體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法、及半導體鰭制作方法 | 鐘匯才;梁擎擎;羅軍;趙超; | 201110240931.5 | 2011-08-22 |
| 半導體器件 | 梁擎擎;許淼;朱慧瓏;鐘匯才; | 201110241218.2 | 2011-08-22 |
| 一種互補型金屬氧化物半導體場效應晶體管的制備方法 | 徐秋霞;李永亮;許高博; | 201110221375.7 | 2011-08-03 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧瓏;梁擎擎;駱志炯;尹海洲; | 201110189100.X | 2011-07-07 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧瓏;梁擎擎;尹海洲;駱志炯; | 201110178387.6 | 2011-06-29 |
| 一種半導體結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 朱慧瓏;梁擎擎;駱志炯;尹海洲; | 201110173892.1 | 2011-06-24 |
| 半導體場效應晶體管的制備方法 | 周華杰;徐秋霞; | 201110172967.4 | 2011-06-24 |
| 一種半導體場效應晶體管的制備方法 | 周華杰;徐秋霞; | 201110174333.2 | 2011-06-24 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧瓏;許淼;梁擎擎; | 201110170875.2 | 2011-06-23 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧瓏;許淼;梁擎擎; | 201110170497.8 | 2011-06-23 |
科研產(chǎn)出