| 專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請(qǐng)?zhí)?/th> | 申請(qǐng)日期 |
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| 淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)、其制作方法及基于該結(jié)構(gòu)的器件 | 閆江; | 201110099133.5 | 2011-04-20 |
| 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 殷華湘，徐秋霞，陳大鵬; | 201110053469.8 | 2011-03-07 |
| 向溝道中引入應(yīng)變的方法和使用該方法制作的器件 | 殷華湘，徐秋霞，陳大鵬; | 201110007408.8 | 2011-01-14 |
| 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 朱慧瓏，尹海洲，駱志炯; | 201110263440.2 | 2011-09-07 |
| 半導(dǎo)體襯底、具有該半導(dǎo)體襯底的集成電路及其制造方法 | 朱慧瓏，駱志炯，尹海洲，鐘匯才; | 201110263458.2 | 2011-09-07 |
| 半導(dǎo)體器件制造方法 | 羅軍，趙超，鐘匯才，李俊峰，陳大鵬; | 201110391447.2 | 2011-11-30 |
| 具有抬升硅化物源漏接觸的MOSFET及其制造方法 | 羅軍，趙超，鐘匯才，李俊峰，陳大鵬; | 201110377995.X | 2011-11-23 |
| 半導(dǎo)體器件 | 羅軍，趙超; | 201110347563.4 | 2011-11-05 |
| MOSFET及其制造方法 | 殷華湘，馬小龍; | 201110322087.0 | 2011-10-20 |
| 半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 王桂磊; | 201110303593.5 | 2011-10-09 |
| 半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 殷華湘，徐秋霞，陳大鵬; | 201110300828.5 | 2011-09-29 |
| 類金剛石襯底上源漏掩埋型石墨烯晶體管器件結(jié)構(gòu)和制作方法 | 馬小龍，殷華湘; | 201110266848.5 | 2011-09-09 |
| 低源漏接觸電阻MOSFETS及其制造方法 | 羅軍，趙超; | 201110264987.4 | 2011-09-08 |
| 低源漏接觸電阻MOSFETs及其制造方法 | 羅軍，趙超; | 201110263766.5 | 2011-09-07 |
| 混合線條的制造方法 | 唐波，閆江; | 201110263770.1 | 2011-09-07 |
科研產(chǎn)出