專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請?zhí)?/th> | 申請日期 |
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一種硅片緩沖裝載裝置 | 吳文鏡;李國光;趙江艷; | 201210479223.1 | 2012-11-22 |
一種利用ALD制備柵介質(zhì)結(jié)構(gòu)的方法 | 董亞斌;夏洋;李超波;張陽; | 201210477230.8 | 2012-11-21 |
一種電極引入結(jié)構(gòu) | 席峰;王佳;李楠;汪明剛;夏洋; | 201210477228.0 | 2012-11-21 |
一種EUV光源污染物收集裝置 | 宗明成;孫裕文;李世光;黃有為; | 201210479101.2 | 2012-11-22 |
一種輻射加固設(shè)計(jì)的寄存器電路 | 吳利華;于芳; | 201310008116.5 | 2013-01-09 |
一種對InP材料進(jìn)行減薄和拋光的方法 | 汪寧; | 201310068641.6 | 2013-03-05 |
一種對InP襯底進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的方法 | 汪寧; | 201310068591.1 | 2013-03-05 |
一種輻射效應(yīng)測試方法、裝置及系統(tǒng) | 謝朝輝;劉海南;周玉梅;黑勇;趙明琦;王德坤; | 201210593075.6 | 2012-12-31 |
一種單粒子輻射效應(yīng)檢測方法 | 謝朝輝;劉海南;周玉梅;黑勇;王德坤;趙明琦; | 201210593077.5 | 2012-12-31 |
一種旋轉(zhuǎn)裝置和基于該旋轉(zhuǎn)裝置的單粒子測試系統(tǒng) | 王德坤;謝朝輝;趙明琦;劉海南;周玉梅;黑勇; | 201210589804.0 | 2012-12-28 |
一種功率MOSFET器件串聯(lián)電阻的測試電路 | 溫景超;周虹珊;王立新; | 201310219259.0 | 2013-06-04 |
抗單粒子瞬態(tài)脈沖CMOS電路 | 宿曉慧;畢津順;羅家俊;韓鄭生; | 201310438775.2 | 2013-09-26 |
抗單粒子瞬態(tài)脈沖CMOS電路 | 宿曉慧;畢津順;羅家俊;韓鄭生; | 201310439034.6 | 2013-09-26 |
半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 朱慧瓏;梁擎擎;鐘匯才; | PCT/CN2012/077852 | 2012-06-29 |
使源/漏區(qū)更接近溝道區(qū)的MOS器件及其制作方法 | 秦長亮;殷華湘; | 201210089963.4 | 2012-03-30 |
科研產(chǎn)出