| 專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請?zhí)?/th> | 申請日期 |
|---|---|---|---|
| 半導(dǎo)體器件的制造方法 | 唐波; 唐波;閆江 | 201010620578.9 | 2010-12-31 |
| 隧穿場效應(yīng)晶體管及其制造方法 | 駱志炯; 駱志炯;王鶴飛 | 201010620557.7 | 2010-12-31 |
| 自對準式多次成像光刻 | 賀曉彬; 賀曉彬;楊濤 | 201010611749.1 | 2010-12-17 |
| 半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 羅軍; 羅軍;趙超 | 201010576904.4 | 2010-12-01 |
| MOS晶體管及其形成方法 | 鐘匯才; 鐘匯才;梁擎擎;楊達;趙超 | 201010618284.2 | 2010-12-31 |
| 半導(dǎo)體器件及其形成方法 | 尹海洲; 尹海洲;鐘匯才;朱慧瓏;駱志炯 | 201010612577.X | 2010-12-29 |
| MOS晶體管及其制作方法 | 于偉澤; 于偉澤;尹海洲 | 201010606342.X | 2010-12-24 |
| 化學(xué)機械拋光設(shè)備及其預(yù)熱方法 | 楊濤; 楊濤;趙超;李俊峰 | 201010599278.7 | 2010-12-21 |
| 自對準金屬硅化物的形成方法 | 羅軍; 羅軍;趙超;鐘匯才 | 201010599252.2 | 2010-12-21 |
| 紅外傳感器開關(guān)器件及其制作方法 | 劉瑞文; 劉瑞文;焦斌斌;李志剛;陳大鵬 | 201010572107.5 | 2010-11-29 |
| 半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法 | 鐘匯才; 鐘匯才;梁擎擎;尹海洲 | PCT/CN2010/001497 | 2010-09-27 |
| 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 朱慧瓏; 朱慧瓏;尹海洲;駱志炯;鐘匯才 | PCT/CN2010/001446 | 2010-09-20 |
| 柵極堆疊的制造方法和半導(dǎo)體器件 | 王文武; 鐘匯才;駱志炯;梁擎擎 | PCT/CN2010/001437 | 2010-09-19 |
| 一種閃存器件及其制造方法 | 朱慧瓏; 朱慧瓏 | PCT/CN2010/001434 | 2010-09-19 |
| 半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 駱志炯; 駱志炯;尹海洲;朱慧瓏 | PCT/CN2010/074620 | 2010-06-28 |
科研產(chǎn)出