| 論文題目 | 作者 | 刊物名稱 | 發(fā)表年度 |
|---|---|---|---|
| 提高SOI器件和電路性能的研究 | 海潮和,韓鄭生,周小茵,趙立新,李多力,畢津順; | 《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》 | 2006 |
| A Short-Channel SOI RF Power LDMOS Technology With TiSi2 Salicide on Dual Sidewalls With Cutoff Frequency fT ～ 19.3 GHz | Rong Yang, J. F. Li, H. Qian, G. Q. Lo, N. Balasubramanian, and D. L. Kwong; | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 2006 |
| 具有應(yīng)變溝道及EOT 1.2nm高性能柵長(zhǎng)22nm CMOS器件 | 徐秋霞,錢鶴,段曉峰,劉海華,王大海,韓鄭生,劉明,陳寶欽,李海歐; | 《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》 | 2006 |
科研產(chǎn)出