| 論文題目 | 作者 | 刊物名稱 | 發(fā)表年度 |
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| 含InGaAsP的InP DHBT復(fù)合式集電區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) | 程偉,金智,于進(jìn)勇,劉新宇; | 《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》 | 2007 |
| GaN HEMT器件22元件小信號(hào)模型 | 劉丹,陳曉娟,劉新宇,吳德馨; | 《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》 | 2007 |
| 單片集成0.8μm柵長(zhǎng)GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增強(qiáng)/耗盡型贗配高電子遷移率晶體管 | 徐靜波,張海英,尹軍艦,劉亮,李瀟,葉甜春,黎明; | 《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》 | 2007 |
| 一種用于14bit 50MHz流水線模數(shù)轉(zhuǎn)換器的CMOS采樣開(kāi)關(guān) | 胡曉宇,周玉梅; | 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) | 2007 |
| Circuit-Level Analysis on Opto-Electronic Characteristics of Ferroelectric Liquid Crystal | Zhu Siqi; | The Chinese Journal of Semiconductors | 2007 |
| 90nm硅柵過(guò)刻蝕工藝中功率對(duì)等離子體性質(zhì)的影響 | 張慶釗,謝長(zhǎng)青,劉明,李兵,朱效立; | 《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》 | 2007 |
| 用于CMOS工藝的雙功函數(shù)Ni全硅化物金屬柵 | 周華杰,徐秋霞; | 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) | 2007 |
| 等離子體刻蝕凹柵槽影響AlGaN/GaN HEMT柵電流的機(jī)理 | 李誠(chéng)瞻,龐磊,劉新宇,黃俊,劉鍵,鄭英奎,和致經(jīng); | 《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》 | 2007 |
| A New Method for InGaAs/InP Composite ChannelHEMTs Simulation | Liu Liang,Zhang Haiying,Yin Junjian,Li Xiao,Xu Jingbo,Song Yuzhu,Liu Xunchun; | The Chinese Journal of Semiconductors | 2007 |
| 一個(gè)4~12GHz混合集成寬帶功率放大器 | 姚小江,李濱,劉新宇,陳中子,陳曉娟; | 《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》 | 2007 |
| Ultrahigh-Speed Lattice-Matched In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMTs with 218 GHz Cutoff Frequency | Liu Liang,Zhang Haiying,Yin Junjian,Li Xiao,Xu Jingbo,Song Yuzhu,Niu Jiebin,Liu Xunchun; | The Chinese Journal of Semiconductors | 2007 |
| In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMTs with fmax of 183GHz | Liu Liang,Zhang Haiying,Yin Junjian,Li Xiao,Yang Hao,Xu Jingbo,Song Yuzhu,Zhang Jian,Niu Jiebin,Liu Xunchun; | The Chinese Journal of Semiconductors | 2007 |
| 高線密度X射線透射光柵的制作工藝 | 朱效立 馬杰 曹磊峰 楊家敏 謝常青 劉明 陳寶欽 牛潔斌 張慶釗 姜驥 趙珉 葉甜春 ; | 《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》 | 2007 |
| Edge-view photodetector for optical interconnects | Li Z, Shen H, Yang C, Li B, Wan L, Guidotti D.; | Opt Lett. | 2007 |
| 一種GPS軟件接收機(jī)自適應(yīng)門限快速捕獲算法 | 巴曉輝 李金海 陳杰; | 《信息與控制》 | 2007 |
科研產(chǎn)出