| 論文題目 | 作者 | 刊物名稱 | 發(fā)表年度 |
|---|---|---|---|
| GaAs基E/D PHEMT技術(shù)單片集成微波開關(guān)及其邏輯控制電路 | 黎明，張海英，徐靜波，付曉君; | 《半導體學報》 | 2008 |
| T形柵In0.52Al0.48 As／In0.6Ga0.4As MHEMTs功率器件 | 黎明，張海英，徐靜波，付曉君; | 《半導體學報》 | 2008 |
| 增強型InGaP／AlGaAs／InGaAs PHEMT柵退火工藝 | 黎明，張海英，徐靜波，李瀟，劉亮，付曉君; | 《半導體學報》 | 2008 |
| 200nm柵長In0.52Al0.48As／In0.6Ga0.4As MHEMTs器件 | 黎明，張海英，徐靜波，付曉君; | 《半導體學報》 | 2008 |
| 碳致深能級引起的AlGaN/GaN HEMT電流崩塌現(xiàn)象 | 龐磊，李誠瞻，王冬冬，黃俊，曾軒，劉新宇，劉鍵，鄭英奎，和致經(jīng); | 《半導體學報》 | 2008 |
| 一種改進了碰撞電離的超高速InP基SHBT SDD模型 | 葛霽，金智，劉新宇，程偉，王顯泰，陳高鵬，吳德馨; | 《半導體學報》 | 2008 |
| 考慮載流子速度和耗盡層寬度隨電壓變化的VBIC模型 | 葛霽，金智，劉新宇，程偉，王顯泰，陳高鵬，吳德馨; | 《半導體學報》 | 2008 |
| 200 nm gate-length GaAs-based MHEMT devices by electron beam lithography | XU JingBo, ZHANG HaiYing, WANG WenXin, LIU Liang, LI Ming, FU XiaoJun, NIU JieBin ，YE TianChun; | Chinese Science Bulletin | 2008 |
| 利用電子束光刻技術(shù)實現(xiàn)200nm柵長GaAs基MHEMT器件 | 徐靜波，張海英，王文新，劉亮，黎明，付曉君，牛潔斌，葉甜春; | 《科學通報》 | 2008 |
| 鈍化前表面預處理對AlGaN/GaN HEMTs性能的影響 | 李誠瞻，劉丹，鄭英奎，劉新宇，劉鍵，魏珂，和致經(jīng); | 《半導體學報》 | 2008 |
| 應用于AlGaN/GaN HEMTs MMIC薄膜電阻的特性與可靠性 | 姚小江，蒲顏，劉新宇，吳偉超; | 《半導體學報》 | 2008 |
| 8GHz帶有RC穩(wěn)定網(wǎng)絡的AlGaN/GaN HEMTs內(nèi)匹配功率合成放大器的設計 | 曾軒，陳曉娟，劉果果，袁婷婷，陳中子，張輝，王亮，李誠瞻，龐磊，劉新宇，劉鍵; | 《半導體學報》 | 2008 |
| 空間功率合成模塊中鰭狀天線陣的分析和設計 | 武錦，歐陽思華，閻躍鵬，劉新宇; | 《紅外與毫米波學報》 | 2008 |
| 截止頻率為238GHz的亞微米InGaAs/InP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 | 金智，程偉，劉新宇，徐安懷，齊鳴; | 《半導體學報》 | 2008 |
| InGaAs/InP DHBT的基極-集電極設計 | 金智，劉新宇; | 中國科學E輯 | 2008 |
科研產(chǎn)出