| 專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請?zhí)?/th> | 申請日期 |
|---|---|---|---|
| 半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 梁擎擎，殷華湘，朱慧瓏，鐘匯才; | 201110311343.6 | 2011-10-14 |
| 半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 梁擎擎，朱慧瓏，鐘匯才; | 201110203389.6 | 2011-07-20 |
| 半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 梁擎擎，朱慧瓏，鐘匯才; | 201110197158.9 | 2011-07-14 |
| 一種制作晶體管和半導(dǎo)體器件的方法 | 尹海洲，駱志炯，朱慧瓏; | 201110083546.4 | 2011-04-02 |
| 半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 尹海洲，朱慧瓏，駱志炯; | 201110094967.7 | 2011-04-15 |
| 具有雙金屬柵的CMOS器件及其制造方法 | 殷華湘，徐秋霞，陳大鵬; | 201110329080.1 | 2011-10-26 |
| 一種MOS器件及其制造方法 | 殷華湘，徐秋霞，陳大鵬; | 201110329077.X | 2011-10-26 |
| 半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 殷華湘，羅軍，趙超，劉洪剛，陳大鵬; | 201110339415.8 | 2011-11-01 |
| 一種全硅化金屬柵體硅多柵鰭型場效應(yīng)晶體管的制備方法 | 周華杰，徐秋霞; | 201110190699.9 | 2011-07-08 |
| 半導(dǎo)體器件的制造方法 | 殷華湘，徐秋霞，孟令款，陳大鵬; | 201110215069.2 | 2011-07-29 |
| 半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 殷華湘，徐秋霞，陳大鵬; | 201110225524.7 | 2011-08-08 |
| 半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 殷華湘，徐秋霞，陳大鵬; | 201110215096.X | 2011-07-29 |
| 一種應(yīng)變半導(dǎo)體溝道的形成方法 | 尹海洲，駱志炯，朱慧瓏; | 201110171241.9 | 2011-06-23 |
| 隔離結(jié)構(gòu)以及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法 | 尹海洲，朱慧瓏，駱志炯; | 201110195439.0 | 2011-07-13 |
| 制作鰭式場效應(yīng)晶體管的方法以及由此形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) | 朱慧瓏，駱志炯，尹海洲; | 201110295189.8 | 2011-09-28 |
科研產(chǎn)出