| 專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請(qǐng)?zhí)?/th> | 申請(qǐng)日期 |
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| 后柵工藝中電極和連線的制造方法 | 楊濤，趙超，李俊峰，閆江，賀曉彬，盧一泓; | 201110263768.4 | 2011-09-07 |
| 半導(dǎo)體集成電路制造方法 | 孟令款; | 201110263754.2 | 2011-09-07 |
| 半導(dǎo)體集成電路制造方法 | 孟令款; | 201110263795.1 | 2011-09-07 |
| 混合線條的制造方法 | 唐波，閆江; | 201110261526.1 | 2011-09-05 |
| 小尺寸鰭形結(jié)構(gòu)的制造方法 | 楊濤，趙超，李俊峰，盧一泓; | 201110261527.6 | 2011-09-05 |
| 光照穩(wěn)定性非晶態(tài)金屬氧化物TFT器件以及顯示器件 | 殷華湘，王玉光，董立軍，陳大鵬; | 201110257633.7 | 2011-09-01 |
| 高穩(wěn)定性非晶態(tài)金屬氧化物TFT器件 | 殷華湘，王玉光，董立軍，陳大鵬; | 201110257880.7 | 2011-09-01 |
| 后柵工藝中假柵的制造方法 | 楊濤，趙超，閆江，李俊峰，盧一泓，陳大鵬; | 201110257658.7 | 2011-09-01 |
| 提高隔離氧化物CMP均勻性的方法及其專用設(shè)備 | 王桂磊，楊濤; | 201110257878.X | 2011-09-01 |
| 提高隔離氧化物CMP均勻性的方法 | 王桂磊，楊濤，李俊峰，趙超; | 201110257855.9 | 2011-09-01 |
| 壓應(yīng)變p-MOSFET器件結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 馬小龍，殷華湘; | 201110239100.6 | 2011-08-19 |
| 半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 羅軍，趙超; | 201110234502.7 | 2011-08-16 |
| 半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 羅軍，趙超; | 201110234503.1 | 2011-08-16 |
| 高壓器件的外延層制造方法 | 王紅麗，李俊峰; | 201110235330.5 | 2011-08-16 |
| 消除接觸孔工藝中橋接的方法 | 王桂磊，李俊峰，趙超; | 201110208407.X | 2011-07-25 |
科研產(chǎn)出