專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請(qǐng)?zhí)?/th> | 申請(qǐng)日期 |
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超低功耗阻變非揮發(fā)性存儲(chǔ)器、其制作方法及操作方法 | 劉明;孫海濤;呂杭炳;劉琦;牛潔斌;楊洪璋; | 201310378736.8 | 2013-08-27 |
一種鍺納米線結(jié)構(gòu)的制作方法 | 王盛凱;劉洪剛;孫兵;?;|;趙威; | 201310741573.5 | 2013-12-27 |
一種GNSS接收機(jī)及其中頻數(shù)據(jù)處理方法 | 李健;陳杰; | 201310363454.0 | 2013-08-20 |
一種制備晶體硅雙發(fā)射極背結(jié)背接觸太陽能電池的方法 | 賈銳; | 201310360950.0 | 2013-08-19 |
一種用于EUV真空環(huán)境中的電子學(xué)裝置 | 宗明成;孫裕文;徐天偉;黃有為; | 201310172932.X | 2013-05-10 |
一種石墨烯導(dǎo)電薄膜的制備方法 | 張大勇;金智;史敬元;麻芃; | 201310311171.1 | 2013-07-23 |
一種凹槽式的硅納米晶存儲(chǔ)器及其制作方法 | 王永;劉明;霍宗亮;劉璟;張滿紅;張康瑋; | 201310224594.X | 2013-06-06 |
一種SOI_MOSFET的熱阻提取方法 | 卜建輝;李瑩;畢津順;李書振;羅家俊;韓鄭生; | 201310339890.4 | 2013-08-06 |
一種電路單元 | 趙章琰;李勇滔;李英杰;夏洋;王文東; | 201310028927.1 | 2013-01-25 |
用于半導(dǎo)體功率器件的終端 | 喻巧群;朱陽軍;褚為利;田曉麗;吳振興;陸江; | 201210371127.5 | 2012-09-28 |
一種靶源預(yù)整形增強(qiáng)的極紫外光發(fā)生裝置 | 宗明成;黃有為;陳浩;李世光;蓋洪峰; | 201310003089.2 | 2013-01-05 |
一種帶寬可調(diào)的運(yùn)算放大器電路 | 武振宇;劉欣;黃水龍;樊曉華;張海英; | 201310123747.1 | 2013-04-10 |
一種基于硅基鍺外延的波導(dǎo)近紅外探測(cè)器及其制備方法 | 劉洪剛,郭浩,陳洪鈞,張雄,?;|,薛百清,韓樂,王盛凱; | 201210576133.4 | 2012-12-26 |
一種硅基鍺外延結(jié)構(gòu)及其制備方法 | 劉洪剛,郭浩,陳洪鈞,張雄,?;|,薛百清,韓樂,王盛凱; | 201210576570.6 | 2012-12-26 |
半導(dǎo)體器件的制造方法 | 徐秋霞;朱慧瓏;許高博;周華杰;陳大鵬; | PCT/CN2012/086126 | 2012-12-07 |
科研產(chǎn)出