| 專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請?zhí)?/th> | 申請日期 |
|---|---|---|---|
| 一種半導體器件及其制造方法 | 范正萍; 王文武;趙超;韓鍇;陳大鵬 | PCT/CN2011/001726 | 2011-10-17 |
| 半導體器件的接觸的制造方法及具有該接觸的半導體器件 | 范正萍; 鐘匯才;梁擎擎 | PCT/CN2011/000693 | 2011-04-20 |
| 向溝道中引入應變的方法和使用該方法制作的器件 | 范正萍; 殷華湘;徐秋霞;陳大鵬 | PCT/CN2011/000694 | 2011-04-20 |
| 一種半導體器件及其形成方法 | 范正萍; 朱慧瓏;梁擎擎 | PCT/CN2011/000336 | 2011-03-02 |
| 晶體管及其制造方法 | 尹海洲; 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯 | PCT/CN2011/000263 | 2011-02-21 |
| 采用后柵工藝制備CMOS器件中接觸孔的方法 | 范正萍; 閆江 | PCT/CN2011/000261 | 2011-02-21 |
| 用于集成電路的襯底及其形成方法 | 范正萍; 鐘匯才;梁擎擎;尹海洲;駱志炯 | PCT/CN2011/000309 | 2011-02-25 |
| 晶體管及其制造方法 | 范正萍; 尹海洲;駱志炯;朱慧瓏 | PCT/CN2011/000292 | 2011-02-24 |
| 金屬性納米管去除方法 | 范正萍; 朱慧瓏;駱志炯;尹海洲 | PCT/CN2011/082533 | 2011-11-21 |
| 半導體器件及其制造方法 | 范正萍; 朱慧瓏;尹海洲;駱志炯 | PCT/CN2011/082929 | 2011-11-25 |
| 半導體器件及其制造方法 | 范正萍; 朱慧瓏;駱志炯;尹海洲 | PCT/CN2011/082930 | 2011-11-25 |
| 半導體器件及其制造方法 | 范正萍; 朱慧瓏;尹海洲;駱志炯 | PCT/CN2011/082399 | 2011-11-18 |
| 半導體場效應晶體管的制備方法 | 范正萍; 周華杰;徐秋霞 | PCT/CN2011/082421 | 2011-11-18 |
| MOSFET及其制造方法 | 范正萍; 朱慧瓏;許淼;梁擎擎 | PCT/CN2011/077856 | 2011-08-01 |
| 一種半導體結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 范正萍; 朱慧瓏;梁擎擎;駱志炯;尹海洲 | PCT/CN2011/077908 | 2011-08-02 |
科研產(chǎn)出