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專利

專利名稱 發(fā)明人 申請?zhí)?/th> 申請日期
晶體管、晶體管制作方法及包括該晶體管的半導(dǎo)體器件 范正萍; 梁擎擎;鐘匯才;朱慧瓏 US13/698,276 2011-11-30
半導(dǎo)體器件及其制造方法 范正萍; 梁擎擎;殷華湘;鐘匯才;朱慧瓏 PCT/CN2011/001999 2011-11-30
半導(dǎo)體器件的制造方法 范正萍; 殷華湘;徐秋霞;孟令款;陳大鵬 PCT/CN2011/001979 2011-11-28
半導(dǎo)體器件及其制造方法 范正萍; 殷華湘;徐秋霞;陳大鵬 PCT/CN2011/001966 2011-11-25
半導(dǎo)體襯底、具有該半導(dǎo)體襯底的集成電路及其制造方法 范正萍; 朱慧瓏;駱志炯;尹海洲 PCT/CN2011/001993 2011-11-29
制作鰭式場效應(yīng)晶體管的方法以及由此形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 范正萍; 朱慧瓏;駱志炯;尹海洲 PCT/CN2011/002004 2011-11-30
鰭式場效應(yīng)晶體管及其制造方法 范正萍; 梁擎擎;鐘匯才;朱慧瓏 PCT/CN2011/078207 2011-08-10
阱區(qū)的形成方法和半導(dǎo)體基底 范正萍; 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯 PCT/CN2011/077634 2011-07-26
嵌入式源/漏MOS晶體管及其形成方法 范正萍; 鐘匯才;趙超;梁擎擎 PCT/CN2011/078320 2011-08-12
混合溝道半導(dǎo)體器件及其形成方法 范正萍; 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯 PCT/CN2011/072585 2011-04-11
溝槽隔離結(jié)構(gòu)及其形成方法 范正萍; 鐘匯才;趙超;梁擎擎 PCT/CN2011/073180 2011-04-22
層間電介質(zhì)的近界面平坦化回刻方法 范正萍; 孟令款;殷華湘 PCT/CN2011/001326 2011-08-10
一種晶體管及其制作方法和包括該晶體管的半導(dǎo)體芯片 范正萍; 尹海洲;羅軍;朱慧瓏;駱志炯 PCT/CN2011/001309 2011-08-09
一種石墨烯器件及其制造方法 范正萍; 梁擎擎;金智;王文武;鐘匯才;劉新宇;朱慧瓏 PCT/CN2011/000291 2011-02-24
晶體管及其制造方法 范正萍; 梁擎擎;鐘匯才;朱慧瓏 PCT/CN2011/000307 2011-02-25