專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請?zhí)?/th> | 申請日期 |
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晶體管、晶體管制作方法及包括該晶體管的半導(dǎo)體器件 | 范正萍; 梁擎擎;鐘匯才;朱慧瓏 | US13/698,276 | 2011-11-30 |
半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 范正萍; 梁擎擎;殷華湘;鐘匯才;朱慧瓏 | PCT/CN2011/001999 | 2011-11-30 |
半導(dǎo)體器件的制造方法 | 范正萍; 殷華湘;徐秋霞;孟令款;陳大鵬 | PCT/CN2011/001979 | 2011-11-28 |
半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 范正萍; 殷華湘;徐秋霞;陳大鵬 | PCT/CN2011/001966 | 2011-11-25 |
半導(dǎo)體襯底、具有該半導(dǎo)體襯底的集成電路及其制造方法 | 范正萍; 朱慧瓏;駱志炯;尹海洲 | PCT/CN2011/001993 | 2011-11-29 |
制作鰭式場效應(yīng)晶體管的方法以及由此形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) | 范正萍; 朱慧瓏;駱志炯;尹海洲 | PCT/CN2011/002004 | 2011-11-30 |
鰭式場效應(yīng)晶體管及其制造方法 | 范正萍; 梁擎擎;鐘匯才;朱慧瓏 | PCT/CN2011/078207 | 2011-08-10 |
阱區(qū)的形成方法和半導(dǎo)體基底 | 范正萍; 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯 | PCT/CN2011/077634 | 2011-07-26 |
嵌入式源/漏MOS晶體管及其形成方法 | 范正萍; 鐘匯才;趙超;梁擎擎 | PCT/CN2011/078320 | 2011-08-12 |
混合溝道半導(dǎo)體器件及其形成方法 | 范正萍; 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯 | PCT/CN2011/072585 | 2011-04-11 |
溝槽隔離結(jié)構(gòu)及其形成方法 | 范正萍; 鐘匯才;趙超;梁擎擎 | PCT/CN2011/073180 | 2011-04-22 |
層間電介質(zhì)的近界面平坦化回刻方法 | 范正萍; 孟令款;殷華湘 | PCT/CN2011/001326 | 2011-08-10 |
一種晶體管及其制作方法和包括該晶體管的半導(dǎo)體芯片 | 范正萍; 尹海洲;羅軍;朱慧瓏;駱志炯 | PCT/CN2011/001309 | 2011-08-09 |
一種石墨烯器件及其制造方法 | 范正萍; 梁擎擎;金智;王文武;鐘匯才;劉新宇;朱慧瓏 | PCT/CN2011/000291 | 2011-02-24 |
晶體管及其制造方法 | 范正萍; 梁擎擎;鐘匯才;朱慧瓏 | PCT/CN2011/000307 | 2011-02-25 |
科研產(chǎn)出