| 專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請?zhí)?/th> | 申請日期 |
|---|---|---|---|
| 基于霍爾效應的MOS晶體管 | 梁擎擎; 梁擎擎;鐘匯才;朱慧瓏 | 201010259644.4 | 2010-08-20 |
| 半導體結構及其制作方法 | 劉佳; 劉佳;駱志炯;王鶴飛 | 201010240109.4 | 2010-07-28 |
| 一種半導體器件及其形成方法 | 趙超; 趙超;王文武;朱慧瓏 | 201010257006.9 | 2010-08-18 |
| 一種半導體器件及其制造方法 | 王文武; 王文武;趙超;王曉磊;陳大鵬 | 201010250728.1 | 2010-08-11 |
| 半導體結構及其制造方法 | 朱慧瓏; 朱慧瓏 | 201010215093.1 | 2010-06-22 |
| 一種半導體器件及其制造方法 | 王文武; 王文武;韓鍇;王曉磊;馬雪麗;陳大鵬 | 201010220686.7 | 2010-06-28 |
| 一種半導體器件的制造方法 | 韓鍇; 韓鍇;王文武;王曉磊;馬雪麗;陳大鵬 | 201010215854.3 | 2010-06-22 |
| 半導體器件及其制造方法 | 朱慧瓏; 朱慧瓏;梁擎擎;尹海洲;駱志炯 | 201010159892.1 | 2010-04-27 |
| 一種半導體器件及其制造方法 | 梁擎擎; 梁擎擎;鐘匯才;朱慧瓏 | 201010215124.3 | 2010-06-22 |
| 一種隧穿晶體管結構及其制造方法 | 梁擎擎; 梁擎擎;鐘匯才;朱慧瓏 | 201010233546.3 | 2010-07-16 |
| 一種接觸的制造方法以及具有該接觸的半導體器件 | 鐘匯才; 鐘匯才;梁擎擎 | 201010215164.8 | 2010-06-22 |
| 半導體器件及其形成方法 | 尹海洲; 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯 | 201010159895.5 | 2010-04-27 |
| 3D集成電路結構及其形成方法 | 朱慧瓏; 朱慧瓏 | 201010502039.5 | 2010-09-30 |
| 半導體器件結構及其制造方法 | 鐘匯才; 鐘匯才;梁擎擎 | 201010242725.3 | 2010-07-30 |
| 一種半導體結構及其制備方法 | 梁擎擎; 梁擎擎;劉洪剛;朱慧瓏;鐘匯才 | 201010215167.1 | 2010-06-22 |
科研產出