| 專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請?zhí)?/th> | 申請日期 |
|---|---|---|---|
| 一種MOS場效應(yīng)晶體管 | 陳大鵬; 陳大鵬;梁擎擎 | 201010102696.0 | 2010-01-28 |
| 一種閃存器件及其制造方法 | 朱慧瓏; 朱慧瓏;駱志炯;尹海洲 | 201010171371.8 | 2010-05-07 |
| 一種閃存器件及其形成方法 | 朱慧瓏; 朱慧瓏;尹海洲;駱志炯 | 201010296053.4 | 2010-09-28 |
| 非對稱半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)及其形成方法 | 駱志炯; 駱志炯;尹海洲;朱慧瓏 | 201010111063.6 | 2010-02-11 |
| 半導(dǎo)體器件及其制作方法 | 鐘匯才; 鐘匯才;梁擎擎 | 201010034166.7 | 2010-01-13 |
| 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法 | 朱慧瓏; 梁擎擎;徐秋霞;鐘匯才;朱慧瓏 | 201010501694.9 | 2010-09-30 |
| 金屬互連結(jié)構(gòu)及金屬層間通孔和互連金屬線的形成方法 | 趙超; 趙超 | 201010501703.4 | 2010-09-30 |
| 金屬柵層/高K柵介質(zhì)層的疊層結(jié)構(gòu)的刻蝕方法 | 李永亮; 李永亮;徐秋霞 | 201010269029.1 | 2010-08-31 |
| 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法 | 朱慧瓏; 朱慧瓏;尹海洲;駱志炯 | 201010269267.2 | 2010-08-31 |
| 應(yīng)變半導(dǎo)體溝道形成方法和半導(dǎo)體器件 | 尹海洲; 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯 | 201010244987.3 | 2010-08-04 |
| 半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法 | 鐘匯才; 鐘匯才;梁擎擎;尹海洲 | 201010242704.1 | 2010-07-30 |
| 使用FinFET的非易失性存儲器件及其制造方法 | 朱慧瓏; 朱慧瓏;尹海洲;駱志炯 | 201010227256.8 | 2010-07-07 |
| 柵極堆疊的制造方法和半導(dǎo)體器件 | 鐘匯才; 鐘匯才;駱志炯;梁擎擎 | 201010197080.6 | 2010-06-03 |
| 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 朱慧瓏; 朱慧瓏;尹海洲;駱志炯 | 201010162118.6 | 2010-04-28 |
| 高溫水蒸氣和水混合射流清洗系統(tǒng)及方法 | 王磊; | 201010531171.9 | 2010-11-03 |
科研產(chǎn)出