專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請(qǐng)?zhí)?/th> | 申請(qǐng)日期 |
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一種耿氏二極管及其制備方法 | 黃杰;楊浩;張海英;田超;董軍榮; | 201010580735.8 | 2010-12-09 |
半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元、器件及其制備方法 | 霍宗亮;劉明; | 201010541159.6 | 2010-11-10 |
減小半導(dǎo)體器件中LER的方法及半導(dǎo)體器件 | 朱慧瓏;朱慧瓏;駱志炯;尹海洲; | 200910244517.4 | 2009-12-30 |
一種源漏區(qū)、接觸孔及其形成方法 | ; 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯 | GB1122081.1 | 2011-02-18 |
絕緣柵雙極晶體管過(guò)流保護(hù)電路 | 高君宇; 馬健;朱陽(yáng)軍 | 201320865468.8 | 2013-12-25 |
一種IGBT緩沖吸收電路 | 高君宇; 黎奇;朱陽(yáng)軍;盧爍今 | 201320761013.1 | 2013-11-26 |
半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 鐘匯才; 鐘匯才;梁擎擎 | PCT/CN2011/000308 | 2011-02-25 |
一種半導(dǎo)體器件及其形成方法 | 鐘匯才; 鐘匯才;梁擎擎;尹海洲;朱慧瓏 | PCT/CN2011/000684 | 2011-04-19 |
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 尹海洲; 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯 | PCT/CN2012/000669 | 2012-05-16 |
半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 鐘匯才; 鐘匯才;梁擎擎 | PCT/CN2011/000308 | 2011-02-25 |
一種半導(dǎo)體器件及其形成方法 | 鐘匯才; 鐘匯才;梁擎擎;尹海洲;朱慧瓏 | PCT/CN2011/000684 | 2011-04-09 |
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 尹海洲; 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯 | PCT/CN2010/001489 | 2010-09-26 |
半導(dǎo)體器件及其制作方法 | 尹海洲; 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯 | PCT/CN2010/001429 | 2010-09-17 |
半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 尹海洲; 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯 | PCT/CN2010/000836 | 2010-06-11 |
一種疊層高密度光模塊 | 李寶霞; 李寶霞 | 201010577654.2 | 2010-12-07 |
科研產(chǎn)出