| 專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請?zhí)?/th> | 申請日期 |
|---|---|---|---|
| 一種雙輸入路徑的超寬帶低噪聲放大器 | 王 晗 葉 青 ; | 200710179862.5 | 2007-12-19 |
| 一種制備交叉線陣列結(jié)構(gòu)有機(jī)分子器件的方法 | 商立偉 劉 明 涂德鈺 甄麗娟 劉 舸 劉興華 ; | 200710179369.3 | 2007-12-12 |
| 一種制備有機(jī)場效應(yīng)晶體管的方法 | 甄麗娟 劉 明 商立偉 劉 舸 ; | 200710179352.8 | 2007-12-12 |
| 采用電子束蒸發(fā)方式制備HfO2納米晶的方法 | 李維龍 賈 銳 陳 晨 劉 明 陳寶欽 龍世兵 謝常青 王 琴 涂德鈺 ; | 200710179371.0 | 2007-12-12 |
| 一種制作氮化鎵基場效應(yīng)晶體管的方法 | 李誠瞻 魏 珂 鄭英奎 劉果果 和致經(jīng) 劉新宇 劉 鍵 ; | 200710179353.2 | 2007-12-12 |
| 實(shí)現(xiàn)將光纖陣列插入微孔陣列的裝置及方法 | 李寶霞 萬里兮 ; | 200710179351.3 | 2007-12-12 |
| 基于絕緣體上硅的雙探頭PMOS輻射劑量計(jì) | 劉夢新 韓鄭生 趙超榮 劉 剛 ; | 200710179354.7 | 2007-12-12 |
| 功率VDMOS開啟電壓遠(yuǎn)程在線自動測試系統(tǒng)及方法 | 蔡小五 趙發(fā)展 海潮和 陸 江 王立新 ; | 200710179370.6 | 2007-12-12 |
| 一種制備硅納米晶薄膜的方法 | 陳 晨 賈 銳 李維龍 劉 明 陳寶欽 龍世兵 謝常青 涂德鈺 劉 琦 ; | 200710179368.9 | 2007-12-12 |
| 一種制作阻變存儲器交叉陣列的方法 | 管偉華 龍世兵 劉 明 ; | 200710178769.2 | 2007-12-05 |
| 一種金屬納米晶浮柵非揮發(fā)性存儲器及其制作方法 | 龍世兵 劉 明 賈 銳 陳寶欽 王 琴 涂德鈺 胡 媛 管偉華 劉 琦 李維龍 王 永 楊瀟楠 張 森 ; | 200710178778.1 | 2007-12-05 |
| 制備埋嵌硅納米晶的高介電常數(shù)柵介質(zhì)的方法 | 李維龍 賈 銳 陳 晨 劉 明 陳寶欽 謝常青 龍世兵 ; | 200710178775.8 | 2007-12-05 |
| 一種制備p型砷化鎵歐姆接觸的方法 | 吳茹菲 張海英 尹軍艦 ; | 200710178771.X | 2007-12-05 |
| 基于雙層膠工藝制作X射線曝光掩膜的方法 | 劉興華 涂德鈺 朱效立 謝常青 劉 明 ; | 200710178777.7 | 2007-12-05 |
| 綠色二氧化碳超流體半導(dǎo)體清洗設(shè)備 | 高超群 劉茂哲 羅小光 李全寶 景玉鵬 ; | 200710178774.3 | 2007-12-05 |
科研產(chǎn)出