| 專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請?zhí)?/th> | 申請日期 |
|---|---|---|---|
| 適用于氮化鎵器件的鋁/鈦/鋁/鈦/鉑/金的歐姆接觸系統(tǒng) | 魏 珂 和致經(jīng) 劉新宇 劉 健 吳德馨 ; | 200410058033.8 | 2004-08-09 |
| 絕緣體硅射頻集成電路的集成結(jié)構(gòu)及制作方法 | 楊 榮 李俊峰 徐秋霞 海潮和 韓鄭生 周小茵 趙立新 牛潔斌 錢 鶴 ; | 200410045979.0 | 2004-05-27 |
| 15-50納米線寬多晶硅柵的刻蝕方法 | 徐秋霞 錢 鶴 趙玉印 ; | 200410047533.1 | 2004-05-21 |
| 一種納米線寬多晶硅柵刻蝕掩膜圖形的形成方法 | 徐秋霞 錢 鶴 劉 明 趙玉印 ; | 200410047532.7 | 2004-05-21 |
| 用于射頻橫向擴(kuò)散場效應(yīng)晶體管的自對準(zhǔn)硅化物方法 | 楊 榮 李俊峰 海潮和 徐秋霞 韓鄭生 柴淑敏 趙玉印 周鎖京 錢 鶴 ; | 200410035088.7 | 2004-04-23 |
| 用于提高硅集成電感品質(zhì)因數(shù)的局部介質(zhì)增厚方法 | 李俊峰 楊 榮 李力南 扈煥章 蔣浩杰 白國斌 錢 鶴 ; | 200410035089.1 | 2004-04-23 |
| 常壓低溫冷等離子體放電通道裝置 | 王守國 ; | 200420004987.6 | 2004-03-18 |
| 常壓射頻低溫冷等離子體放電通道裝置 | 王守國 ; | 200420004986.1 | 2004-03-18 |
| 電鍍起鍍層的制作方法 | 劉新宇 孫海峰 和致經(jīng) 邵剛 ; | 200410039695.0 | 2004-03-16 |
| 均勻大面積常壓射頻冷等離子體發(fā)生器 | 王守國 ; | 200420003865.5 | 2004-02-26 |
| 一種異步數(shù)據(jù)通路平均性能分析方法 | 趙冰 黑勇 仇玉林 ; | 200410002011.X | 2004-01-09 |
| 異步加-選擇—比較器電路 | 趙冰 黑勇 仇玉林 ; | 200410002012.4 | 2004-01-09 |
| 復(fù)合膠電鍍制作空氣橋的方法 | 邵剛 劉新宇 和致經(jīng) 劉鍵 吳德馨 ; | 200410001433.5 | 2004-01-08 |
| 新結(jié)構(gòu)肖特基毫米波混頻二極管 | 張海英 ; | 200310122345.6 | 2003-12-16 |
| X射線光刻對準(zhǔn)標(biāo)記 | 王德強(qiáng) 謝常青 葉甜春 ; | 200310120546.2 | 2003-12-12 |
科研產(chǎn)出