專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請(qǐng)?zhí)?/th> | 申請(qǐng)日期 |
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高速率半導(dǎo)體光發(fā)射組件的封裝結(jié)構(gòu)及方法 | 吳德馨 楊成樾 李寶霞 ; | 200610003069.5 | 2006-02-08 |
異質(zhì)結(jié)雙極晶體管T型發(fā)射極金屬圖形制作方法的改進(jìn) | 蘇樹(shù)兵 劉訓(xùn)春 于進(jìn)勇 劉新宇 王潤(rùn)梅 鄭英奎 魏 珂 汪 寧 ; | 200610003066.1 | 2006-02-08 |
用于193nm光學(xué)光刻的側(cè)墻鉻衰減型移相掩模制作方法 | 謝常青 劉 明 ; | 200610003068.0 | 2006-02-08 |
在磷化銦InP基片上形成通孔的方法及半導(dǎo)體光電器件 | 李寶霞 吳德馨 楊成樾 ; | 200610003070.8 | 2006-02-08 |
一種光開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)及制作工藝 | 董立軍 陳大鵬 歐 易 景玉鵬 ; | 200610002666.6 | 2006-01-26 |
采用電感實(shí)現(xiàn)的射頻信號(hào)集成靜電釋放保護(hù)電路 | 郭慧民 陳 杰 ; | 200610001709.9 | 2006-01-23 |
CMOS工藝中射頻信號(hào)的集成靜電釋放保護(hù)電路 | 郭慧民 陳 杰 ; | 200610001710.1 | 2006-01-23 |
一種非平面溝道有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 | 于 貴 狄重安 劉洪民 劉云圻 劉新宇 徐新軍 孫艷明 王 鷹 吳德馨 朱道本 ; | 200510130758.8 | 2005-12-28 |
一種實(shí)時(shí)位真仿真開(kāi)發(fā)系統(tǒng)及其方法 | 吳 斌 周玉梅 黑 勇 王小琴 喬樹(shù)山 周 璇 ; | 200510130772.8 | 2005-12-28 |
基于功耗分布的電源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)方法 | 蔣見(jiàn)花 劉海南 周玉梅 葉 青 ; | 200510130693.7 | 2005-12-21 |
一種多處理器芯片的二維方格布局結(jié)構(gòu) | 周朝顯 陳 杰 ; | 200510130692.2 | 2005-12-21 |
利用多層側(cè)墻技術(shù)制備納米壓印模版的方法 | 涂德鈺 王叢舜 劉 明 ; | 200510126492.X | 2005-12-14 |
一種紫外固化納米壓印模版的制備方法 | 涂德鈺 王叢舜 劉 明 ; | 200510130437.8 | 2005-12-08 |
采用正性電子抗蝕劑制備金屬納米電極的方法 | 龍世兵 劉 明 陳寶欽 ; | 200510130438.2 | 2005-12-08 |
采用基于硅襯底突點(diǎn)制作及釋放犧牲層的方法 | 石莎莉 陳大鵬 歐 毅 謝常青 葉甜春 ; | 200510127446.1 | 2005-12-02 |
科研產(chǎn)出